[发明专利]一种平面型半导体热电芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201110296180.9 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103035833A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李铁;俞骁;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平面型半导体热电芯片及制备方法，该方法包括：制备包括两端完全隔离的导热层（100）、位于导热层上的绝缘层（200）以及位于绝缘层上的发电层（300）的硅片，发电层包括热电偶对（302）及连接热电偶对的金属引线及电极（301）；制备设有凹部并采用绝热材料的支撑层（400）；将支撑层（400）与所述硅片键合，并且键合后对硅片背面进行减薄抛光；释放热电偶对（302），导热层的两端通过该热电偶对桥接。本发明极大的提高了单个平面型半导体热电发电芯片内的热电偶对数量和温差利用率，从而实现平面型半导体热电发电芯片高电压、大功率输出。本发明工艺简单，成本低廉，可实现批量化制作，具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 半导体 热电 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型半导体热电芯片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1)制备包括两端完全隔离的导热层(100)、位于导热层上的绝缘层(200)以及位于绝缘层上发电层(300)的硅片，所述发电层包括热电偶对(302)以及连接该热电偶对的金属引线及电极(301)；制备设有凹部并采用绝热材料的支撑层(400)；2)将所述支撑层(400)与所述硅片键合，并且键合后对硅片背面进行减薄抛光；3)释放热电偶对(302)，所述导热层的两端通过该热电偶对桥接。
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