[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110297225.4 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103021999A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面第一介质层中的至少两个晶体管，所述晶体管具有栅极结构及位于栅极结构两侧半导体衬底内的掺杂区，所述栅极结构顶部与第一介质层表面齐平；位于所述晶体管掺杂区上的第一导电插塞；位于所述第一介质层上的第二介质层；位于所述第二介质层中的接触单元，所述接触单元连接相邻的第一导电插塞；位于所述第二介质层中与栅极结构顶部相接触的第二导电插塞；位于所述第二介质层上分别与第二导电插塞、接触单元连接的金属布线层，其中位于接触单元上的金属布线层线宽小于接触单元线宽。本发明形成的半导体结构，提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面第一介质层中的至少两个晶体管，所述晶体管具有栅极结构及位于栅极结构两侧半导体衬底内的掺杂区，所述栅极结构顶部与第一介质层表面齐平；位于所述晶体管掺杂区上的第一导电插塞；其特征在于，还包括：位于所述第一介质层、第一导电插塞及晶体管上的第二介质层；位于所述第二介质层中的接触单元，所述接触单元贯穿第二介质层的厚度，且连接相邻的第一导电插塞；位于所述第二介质层中与栅极结构顶部相接触的第二导电插塞；位于所述第二介质层上分别与第二导电插塞、接触单元连接的金属布线层，其中位于接触单元上的金属布线层线宽小于接触单元线宽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110297225.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池舱旋转密封机构
- 下一篇：一种高像素密度LED显示屏
