[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，所述后道制程与前道制程同时进行，且所述后道制程是在所述基底上通过“逆向”制作形成，依次从顶层互连层形成至底层互连层，之后将所述基底上形成的后道制程倒置于前道制程结构中的半导体衬底上，使所述第一通孔金属层与所述第二通孔金属层相连接，并使所述底层互连层的金属引线与所述引出连线层的金属连线的相连接，节约了工艺时间，提高了工艺效率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括前道制程、后道制程和固定步骤，所述前道制程和后道制程同时进行，其中，所述前道制程包括：提供一半导体衬底，形成核心电路，所述核心电路上形成有引出连线层；在所述半导体衬底的核心电路旁形成第一穿透硅通孔；在所述第一穿透硅通孔中形成第一通孔金属层；所述后道制程包括：提供一基底，由下至上依次形成顶层互连层至底层互连层，所述底层互连层与所述核心电路的引出连线层位置相适配；在所述基底上形成第二穿透硅通孔，所述第二穿透硅通孔与所述顶层互连层中金属连线连通，且所述第二穿透硅通孔与所述第一穿透硅通孔相适配；在所述第二穿透硅通孔中形成第二通孔金属层；所述固定步骤包括：将所述基底倒置于所述半导体衬底上，使所述第一通孔金属层与所述第二通孔金属层相连接，并使所述底层互连层的金属引线与所述引出连线层的金属连线的相连接。