[发明专利]共享源线的闪存单元及其形成方法有效
| 申请号： | 201110298218.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315252A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种共享源线的闪存单元及其形成方法，所提供的共享源线的闪存单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的源线；依次位于所述源线两侧半导体衬底表面的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；位于所述源线与浮栅、控制栅之间的侧墙介质层；位于浮栅、控制栅远离源线的侧壁，以及与所述侧壁近邻的半导体衬底表面的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层表面的字线；位于所述字线远离源线一侧的半导体衬底内的漏极；位于与源线正对的半导体衬底内的源极；其中，所述浮栅具有靠近源线的掺杂类型为p型的p型掺杂端，其余部分的掺杂类型为n型。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 闪存 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种共享源线的闪存单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的源线；依次位于所述源线两侧半导体衬底表面的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；位于所述源线与浮栅、控制栅之间的侧墙介质层；位于浮栅、控制栅远离源线的侧壁，以及与所述侧壁近邻的半导体衬底表面的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层表面的字线；位于所述字线远离源线一侧的半导体衬底内的漏极；位于与源线正对的半导体衬底内的源极；其特征在于，所述浮栅具有靠近源线的掺杂类型为p型的p型掺杂端，其余部分的掺杂类型为n型。
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