[发明专利]静电放电保护装置

摘要

本发明提供了一种静电放电保护装置，通过在PNPN结构中引入静电放电(ESD)掺杂注入层，并且通过调整ESD掺杂注入层的注入能量及剂量以决定合适的触发电压，通过调整ESD掺杂注入层的尺寸以得到合适的维持电压，防止造成闩锁效应问题。本发明提供的静电放电保护装置基于外延圆片高压工艺或者绝缘衬底上的硅(SOI)圆片高压工艺下形成的自隔离效果，可以防止器件受噪声影响被误触发。与已知的其他静电保护器件相比，相同的静电防护能力下，本发明提供的静电放电保护装置还具有面积小，成本低的特点。

主权项

一种静电放电保护装置，其特征在于，该装置包括：P型基底；P型外延层，位于P型基底上；N型埋层，位于P型基底中、P型外延层之间；第一N型阱，位于N型埋层上、P型外延层之间；第一P型阱，位于N型埋层之上，且与第一N型阱相邻；第二N型阱，位于N型埋层之上、第一P型阱及P型外延层之间；ESD掺杂注入层，位于第一P型阱与第一N型阱中；第一N+型区，第一P+型区，位于ESD掺杂注入层中；第二N+型区，第二P+型区，位于ESD掺杂注入层外，并且设置于与该ESD掺杂注入层导电类型相反的所述第一N型阱或所述第一P型阱中。