[发明专利]多栅极场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管的制造方法，通过在所述栅极两侧形成自对准间隔侧墙，在进行离子注入形成源极区和漏极区的过程中，能够掩蔽该栅极两侧的鳍状结构不被掺杂注入，增加了位于栅极下方鳍状结构中沟道的长度，以实现抑制短沟道效应、降低漏电流，并达到降低多栅极场效应晶体管的功耗、提高多栅极场效应晶体管的器件性能的目的。通过在多栅极场效应晶体管上形成阻挡层，并利用干法刻蚀所述阻挡层，在所述图案化的硬掩膜层两侧形成斜坡状的自对准阻挡掩膜；利用自对准阻挡掩膜刻蚀形成自对准间隔侧墙从而利用自对准技术，在形成过程中不需要利用光刻和刻蚀工艺定义，即形成自对准间隔侧墙，从而降低了工艺成本，提高了工艺效率。

主权项

一种多栅极场效应晶体管的制造方法，包括提供一基底，在所述基底上形成鳍状结构，并在所述鳍状结构表面依次形成有栅极薄膜和硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，以形成图案化的硬掩膜层，并以图案化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极薄膜，以形成跨设于所述鳍状结构侧壁和顶部表面的栅极；形成覆盖所述图案化的硬掩膜层、栅极和鳍状结构的间隔层；进行化学机械研磨工艺，直至暴露所述图案化的硬掩膜层的顶面；进行回刻蚀工艺，直至暴露所述图案化的硬掩膜层的全部侧面；形成覆盖所述图案化的硬掩膜层和间隔层的阻挡层；刻蚀所述阻挡层，以在所述图案化的硬掩膜两侧形成自对准阻挡掩膜；以所述自对准阻挡掩膜为硬掩膜，刻蚀所述间隔层以形成自对准间隔侧墙；去除所述自对准阻挡掩膜和图案化的硬掩膜层。