[发明专利]能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构

摘要

本发明公开了一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的顶层覆盖有元胞源区接触孔，元胞源区接触孔为长条形，元胞源区接触孔沿元胞N型离子注入区的长度方向延伸。在所述元胞源区接触孔的长度方向，元胞源区接触孔全部覆盖元胞N型离子注入区，而只覆盖元胞体注入区的部分区域。本发明能够大大增加孔与元胞体注入区的面积，从而更稳定地控制元胞体注入区的零电位，降低寄生晶体管的基区电阻，提高寄生晶体管触发开启的条件，有效防止寄生晶体管的触发开启。

主权项

一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的顶层覆盖有元胞源区接触孔，元胞源区接触孔为长条形，元胞源区接触孔沿元胞N型离子注入区的长度方向延伸。