[发明专利]一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法有效
申请号: | 201110302088.9 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102332501A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 孙良欣;陈璧滔;梁光鸿 | 申请(专利权)人: | 桂林尚科光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B08B3/00 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 541300 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法,属于太阳电池技术领域。在硅片表面吸附一层异丙醇保护层隔绝纯水、氧气与硅片的接触,去除去磷硅过程中产生的花篮印。本发明与现有技术比较能有效的去除去磷硅过程中产生的花篮印,降低生产过程中B类片的产生,并保证对后续工艺及最终电池片性能无影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳电池 生产过程 去除 花篮 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法,其特征是在硅片表面吸附一层异丙醇保护层隔绝纯水、氧气与硅片的接触,去除去磷硅过程中产生的花篮印。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的