[发明专利]非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110302115.2 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102456834A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 角野润 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法。在所述非易失性存储器件中层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。根据本发明，能够抑制由于焦耳热导致的所述信息存储层的温度上升，因此能够抑制读干扰现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。
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