[发明专利]组合EEPROM/闪速非易失性存储器电路有效
| 申请号： | 201110302419.9 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446923A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 森克·奥斯特敦;克里斯托夫·汉斯·约阿西姆·加尔贝;安德烈亚斯·嫩特维格;尼尔斯·桑德斯费尔德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失性存储器电路包括存储器行以及与存储器行相连的支持电路，其中至少一个存储器行包括至少一个电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)存储器元件和至少一个闪速存储器元件。EEPROM和闪速元件配置为共享一部分支持电路并且可以并行地访问。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 eeprom 非易失性存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器电路，所述非易失性存储器电路包括：存储器行，其中至少一个存储器行包括至少一个电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)存储器元件和至少一个闪速存储器元件，并且所述至少一个EEPROM存储器元件和所述至少一个闪速存储器元件配置为并行地访问；以及支持电路，与存储器行相连，其中所述至少一个存储器行中的所述至少一个EEPROM存储器元件和所述至少一个闪速存储器元件共享所述支持电路的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
