[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110302770.8 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102420146A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 斎藤直人 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，不用增加很大的工序且采用控制性优良的工序，与CMOS在同一衬底上实现改变了P-体的深度的沟槽MOSFET。在沟槽MOSFET中，在P-体区域(4)的一部分的与深沟槽(5)分开的附近，设置扩散成比P-体区域(4)更深的延伸体区域(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其中包括：在第1导电型的半导体衬底形成成为高浓度漏极的第2导电型的埋入层的工序；在所述埋入层上形成成为低浓度漏极的第2导电型的外延层的工序；在所述外延层内形成成为体区域的第1导电型的第1扩散层区域的工序；形成从所述第1扩散层区域延展到所述外延层内的深沟槽区域的工序；在所述深沟槽区域的内壁形成栅极绝缘膜的工序；与所述栅极绝缘膜相接，在所述深沟槽区域内填充多晶硅从而形成栅极电极的工序；在所述第1扩散层区域表面形成第2导电型的源极区域的工序；从所述第1扩散层区域表面，并在与所述深沟槽区域分开的位置，向成为所述第1扩散层区域的底部的区域离子注入杂质，与所述第1扩散层区域相连续地形成成为向所述外延层延伸的延伸体区域的第1导电型的第2扩散层区域的工序；以及在所述第1扩散层区域表面形成成为体接触区域的第1导电型的高浓度扩散层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
