[发明专利]沟槽式栅极结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110306672.1 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102737972A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽式栅极结构，包括：基底，具有沟槽，其中沟槽包含内侧表面，而且沟槽分成下部区和上部区，栅极介电层设置于沟槽的内侧表面上，下部栅极电极设置于沟槽的下部区而且位于栅极介电层上，其中下部栅极电极包含凸出弧面，一个间隙壁位于沟槽的上部区且位于栅极介电层上，和一个位于沟槽的上部区并且设于下部栅极电极上方的上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于包括：提供基底，具有沟槽，所述沟槽包括内侧表面，其特征在于沟槽分成下部区和上部区；形成栅极介电层在所述的沟槽的内侧表面上；形成下部栅极电极在所述沟槽的下部区，其中所述的下部栅极电极包含一凸出弧面；形成一间隙壁在所述上部区的栅极介电层上；及形成上部栅极电极，填入所述沟槽的上部区而完成一沟槽式栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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