[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
申请号: | 201110306691.4 | 申请日: | 2011-10-08 |
公开(公告)号: | CN102446863A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 李泽勋;金沅槿;张东铉;宋昊建;任成晙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/065;H01L23/31 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤:利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上,其中,半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域;在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽,从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片;将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片;形成模塑层以填充第一切割凹槽;在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽,以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体封装件的方法,所述方法包括以下步骤:利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上,其中,所述半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域,其中,所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片通过所述芯片切割区域彼此分开,所述半导体基底包括其上形成有有源区域的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;在所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片之间的芯片切割区域中形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽,从而将所述半导体基底分成多个第一半导体芯片;将分别与所述多个第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到所述多个第一半导体芯片;形成模塑层,以填充所述第一切割凹槽;以及在所述模塑层中形成具有比所述第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽,从而将所述模塑层分成覆盖所述多个第一半导体芯片中的一个第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的相应的一个第二半导体芯片的各个模塑层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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