[发明专利]一种减少双层前金属介电质层开裂的方法无效
| 申请号： | 201110309734.4 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102446745A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐强;陈玉文;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，该工艺步骤如下：1）提供具有N/PMOS的衬底；2）在衬底上沉积氮化硅蚀刻阻挡层；3）在氮化硅蚀刻阻挡层上沉积第一前金属介电质层；4）对第一前金属介电质层进行含氧的等离子体处理；5）在第一前金属介电质层上沉积第二前金属介电质层；6)对第二前金属介电质层进行化学机械研磨以达到设计要求厚度。本发明在HDPPSG沉积完成以后，利用含氧的等离子体对PSG表面进行钝化处理，降低了其上表面的P含量，使得该层薄膜的性质更加接近与二氧化硅，从而增加了该层薄膜上表面同后续PECVD二氧化硅下表面的粘结性能，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 双层 金属 介电质层 开裂 方法 | ||
【主权项】：
一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：该工艺步骤如下：1）提供具有N/PMOS的衬底；2）在衬底上沉积氮化硅蚀刻阻挡层；3）在氮化硅蚀刻阻挡层上沉积第一前金属介电质层；4）对第一前金属介电质层进行含氧的等离子体处理；5）在第一前金属介电质层上沉积第二前金属介电质层；6) 对第二前金属介电质层进行化学机械研磨以达到设计要求厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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