[发明专利]一种MOS晶体管电容无效
| 申请号： | 201110309971.0 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412312A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王一奇;韩郑生;赵发展;刘梦新;毕津顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管电容，属于集成电路技术领域。该电容包括P型体区，n+源区，n+漏区，附着于P型体区上的薄栅氧，以及，附着于薄栅氧上面的多晶硅栅，n+源区和n+漏区分别连接于P型体区，该电容增大了MOS晶体管电容在单位面积上的电容值。同时，本发明还公开了一种应用了该MOS晶体管电容的存储单元。该存储单元能够减弱单粒子翻转效应的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 电容 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管电容，包括P型体区，n+源区，n+漏区，附着于所述P型体区上的薄栅氧，以及，附着于所述薄栅氧上面的多晶硅栅，其特征在于，所述n+源区和n+漏区分别连接于所述P型体区。
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