[发明专利]薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构无效
| 申请号： | 201110313417.X | 申请日： | 2011-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102315249A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李博;封晴;田海燕;王晓玲;赵力;孙佩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，按照本发明提供的技术方案，所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层上设有EEPROM结构及用于抗ESD的MOS管，所述MOS管包括位于P型外延层内的源区、漏区及位于P型外延层上方的多晶栅，所述源区及漏区对应的侧壁上设有轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区与源区及漏区对应连接；所述P型外延层内设有第二埋层，MOS管的源区、漏区及对应连接的轻掺杂漏区分别被对应的第二埋层包覆，且对应包覆源区及漏区的第二埋层通过P型外延层相隔离；第二埋层在P型外延层内延伸位于多晶栅的正下方。本发明结构紧凑，能提高抗ESD器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 片上抗 辐射 eeprom 芯片 esd 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，包括P型衬底（9）及位于所述P型衬底（9）上的P型外延层（4），所述P型外延层（4）上设有EEPROM结构及用于抗ESD的MOS管，所述MOS管包括位于P型外延层（4）内的源区（1）、漏区（2）及位于P型外延层（4）上方的多晶栅（3），所述源区（1）及漏区（2）对应的侧壁上设有轻掺杂漏区（12），所述轻掺杂漏区（12）与源区（1）及漏区（2）对应连接；其特征是：所述P型外延层（4）内设有第二埋层（13），MOS管的源区（1）、漏区（2）及对应连接的轻掺杂漏区（12）分别被对应的第二埋层（13）包覆，且对应包覆源区（1）及漏区（2）的第二埋层（13）通过P型外延层（4）相隔离；第二埋层（13）在P型外延层（4）内延伸位于多晶栅（3）的正下方。
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