[发明专利]半导体的接触孔结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体接触孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供一半导体基底，其内具有至少一导电区域；在基底上沉积两层不同刻蚀率的介质材料以形成介质层；在所述介质层上形成光刻胶的接触孔图案，并通过刻蚀在所述介质层中形成接触孔或通孔的形状；去除所述光刻胶。该方法通过沉积两层刻蚀率不同的介质层，其中上面一层的刻蚀率要低于下面一层，由于下面一层材料产生的聚合物更多，堆积下来会形成斜面，于是在下面一层材料中产生倒梯形结构，使得与导电区域接触处的通孔面积变小，从而减小了与导电区域错开的几率。

主权项

一种制作半导体接触孔结构的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，其内设置有导电区域；在所述半导体基底上依次形成第一、二介质层；形成掩膜，所述掩膜在对应所述导电区域处形成有缺口；利用所述掩膜刻蚀所述第二介质层、第一介质层，以在所述第一、二介质层内形成与所述导电区域相连的通孔，其中，所述第一介质层内通孔的宽度小于所述第二介质层内通孔的宽度。