[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110316302.6 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103066109A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈立凡;陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一掺杂区与半导体区；第一掺杂区具有第一导电型；半导体区位于第一掺杂区中；源极电极与漏极电极被分别电性连接至第一掺杂区位于半导体区的相对侧边上的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；以及一半导体区，位于该第一掺杂区中，一源极电极与一漏极电极被分别电性连接至该第一掺杂区位于该半导体区的相对侧边上的部分。
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