[发明专利]发光元件无效
| 申请号： | 201110317294.7 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102447028A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 今野泰一郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供发光元件(1)，反射部(210)具有多层成对层，当设光的峰值波长为λp、第1半导体层(210a)的折射率为nA、第2半导体层(210b)的折射率为nB、第1包覆层(220)的折射率为nIn、光入射角为θ时，第1半导体层(210a)具有由式(1)确定的厚度TA1，第2半导体层(210b)具有由式(2)确定的厚度TB1，成对层包含在44～61的θ值范围内由式(1)规定的厚度的第1半导体层(210a)和由式(2)规定的厚度的第2半导体层(210b)，成对层包括包含44～61的θ值范围内由式(1)规定的厚度的第1半导体层(210a)和由式(2)规定的厚度的第2半导体层(210b)的成对层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其具备：半导体基板；发光部，具有被第1导电型的第1包覆层和与所述第1导电型不同的第2导电型的第2包覆层夹持的活性层；反射部，设置于所述半导体基板与所述发光部之间，反射所述活性层发出的光；和电流分散层，设置于所述发光部的与所述反射部相对的一侧，所述反射部具有多层包含第1半导体层和与所述第1半导体层不同的第2半导体层的成对层而形成，当设所述活性层发出的光的峰值波长为λp、所述第1半导体层的折射率为nA、所述第2半导体层的折射率为nB、所述第1包覆层的折射率为nIn、光从所述第1包覆层向所述第2半导体层的入射角为θ时，所述第1半导体层具有由式(1)确定的厚度TA1，所述第2半导体层具有由式(2)确定的厚度TB1，所述成对层包含在44～61的θ的值的范围内由所述式(1)和所述式(2)规定的厚度的所述第1半导体层和所述第2半导体层，并且包含由在44～61的θ的值的范围内由所述式(1)规定的厚度的所述第1半导体层和在44～61的θ的值的范围内由所述式(2)规定的厚度的所述第2半导体层构成的成对层。 T A 1 = λ p 4 n A 1 - ( n In sin θ n A ) 2 式(1) T B 1 = λ p 4 n B 1 - ( n In sin θ n B ) 2 式(2)
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