[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201110317379.5 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN102569125A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 金炳埈 | 申请(专利权)人: | 金炳埈 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置,详言之,涉及实施对基板进行蚀刻等基板处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明公开了一种基板处理装置,该基板处理装置包括:处理室,形成用于基板处理的处理空间;基板支架,设在上述处理室的内部,用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘,其中,n、m为2以上的自然数,在上述基板处理装置中,在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分,放置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的边角伪基板。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,该基板处理装置包括:处理室,形成用于基板处理的处理空间;基板支架,设在上述处理室的内部,用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘,其中,n、m为2以上的自然数,其特征在于,在上述基板处理装置中,在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分,放置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的边角伪基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造