[发明专利]用于三维集成电路(3DIC)的穿透硅通孔(TSV)的测试结构有效
| 申请号： | 201110317964.5 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456668A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林鸿志;王敏哲;彭经能;陈颢 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 将基板上的或者3维集成电路(3DIC)中的多个穿透硅通孔(TSV)链接在一起。将TSV链接在一起，从而增大了电信号。多个测试焊盘能够用于测试TSV。一个测试焊盘接地。剩下的测试焊盘电连接到链中的TSV，或者接地。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维集成电路 dic 穿透 硅通孔 tsv 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上链接穿透硅通孔(TSV)的测试结构，所述测试结构包括：多个TSV，从所述基板的第一表面延伸到相对于所述第一对面的所述基板的第二表面，其中，所述多个TSV通过互连而链接在一起，以及多个测试焊盘，其中，所述多个测试焊盘中的至少一个接地到所述基板，并且，其中，剩下的所述多个测试焊盘或者与所述链接的TSV连接，或者接地。
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