[发明专利]发光器件以及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110318442.7 申请日: 2011-10-19
公开(公告)号: CN102456827A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 关根重信;关根由莉奈;桑名良治;上林和利 申请(专利权)人: 纳普拉有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/38;H01L27/15
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可靠性高、容易制造的发光器件以及其制造方法。透明结晶基板的一个面是光出射面,发光元件1被层叠在透明结晶基板的与光出射面相反侧的另一面。位于透明结晶基板一侧的N型半导体层具有与P型半导体层不重合的部分。N型半导体层的第1半导体面电极设置在不重合的部分的表面,P型半导体层的第2半导体面电极设置在与第1半导体面电极相同侧的面。发光元件被绝缘层覆盖,绝缘层上层叠有支承基板。通过绝缘层与第1及第2半导体面电极连接的第1及第2纵导体,连接于贯通支承基板的第1及第2贯通电极。
搜索关键词: 发光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光器件,包括发光元件和支承基板,其特征在于,上述发光元件含有透明结晶基板、半导体层、半导体面电极、绝缘层和纵导体,上述透明结晶基板的一个面是光出射面,上述半导体层含有将P型半导体层以及N型半导体层层叠而成的构造,并且上述半导体层被层叠在上述透明结晶基板的与上述光出射面相反侧的另一面,上述绝缘层覆盖上述半导体层,上述纵导体含有第1纵导体以及第2纵导体,上述第1纵导体贯通上述绝缘层,上述第1纵导体的一端与设置在上述P型半导体层以及N型半导体层中的一个上的第1半导体面电极连接,上述第2纵导体贯通上述绝缘层,上述第2纵导体的一端与设置在上述P型半导体层以及N型半导体层中的另一个上的第2半导体面电极连接,上述支承基板具有基板部和贯通电极,并被层叠于上述绝缘层,上述贯通电极包括第1贯通电极以及第2贯通电极,上述第1贯通电极贯通上述基板部,上述第1贯通电极的一端与上述第1纵导体的另一端连接,上述第2贯通电极贯通上述基板部,上述第2贯通电极的一端与上述第2纵导体的另一端连接,上述第1纵导体以及上述第2纵导体的上述另一端比上述绝缘层的表面突出,并在上述支承基板的内部与上述第1贯通电极以及上述第2贯通电极的上述一端连接。
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