[发明专利]一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法

摘要

ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法，在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS或ZnS放置于反应器中部，反应温度800-900℃，升温速率400-600℃/小时；相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端，反应温度300-700℃；表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底，反应温度400-650℃；硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1，氩气吹扫时间0.5-3小时，氩气流速15-60毫升/分钟，x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制，无污染，样品形貌丰富、选择性高、重复性好。

主权项

ZnxCd1‑xS纳米复合材料的制备方法，其特征是在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS(或ZnS)原料放置于反应器中部，反应温度800‑900℃；将ZnCl2(或CdCl2)原料放置于反应器进气口一端，反应温度300‑700℃；表面镀金的Si(100)片放置于出气口一端作为样品生长的衬底，反应温度400‑650℃；在不需要任何模板、不需要分步合成出单一硫化物的情况下，通过调节原料种类、反应温度、衬底温度和氩气流速，一步就可以选择性地合成出具有不同形貌的ZnxCd1‑xS纳米复合材料。在ZnxCd1‑xS纳米复合材料的制备工艺中，硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2‑2∶1，氩气吹扫时间0.5‑3小时，氩气流速15‑60毫升/分钟)，真空度5×10‑3‑5×10‑4帕，反应时间1‑5小时。