[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201110320200.1 申请日: 2011-10-20
公开(公告)号: CN102456410B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 秋敎秀 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;G11C16/02
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 郭放,许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置,包括存储块,所述存储块包括存储串,存储串具有耦接在源极线与各个位线之间的各个沟道层;操作电路组,所述操作电路组被配置成向沟道层供应热空穴,并且对存储串的存储器单元执行擦除操作;擦除操作判定电路,所述擦除操作判定电路被配置成当至少目标数量的热空穴被供应至沟道层中的第一沟道层时产生块擦除使能信号;以及控制电路,所述控制电路被配置成响应于块擦除使能信号来执行擦除操作。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 操作方法
【主权项】:
一种半导体存储装置,包括:存储块,所述存储块包括存储串,所述存储串具有耦接在源极线与位线之间的沟道层;操作电路组,所述操作电路组被配置成通过将源极线的电压提高至热空穴供应电压并将源极线的电压维持在热空穴供应电压而向所述沟道层供应热空穴,并对所述存储串的存储器单元执行擦除操作;擦除操作判定电路,所述擦除操作判定电路被配置成在源极线的电压被维持在热空穴供应电压时基于位线的电压来判定热空穴是否充分地注入到所述沟道层中并基于判定的结果产生块擦除使能信号;以及控制电路,所述控制电路被配置成响应于所述块擦除使能信号来控制所述操作电路组开始执行所述擦除操作的时间点,其中,操作电路组被配置成在源极线的电压被维持在热空穴供应电压时在第一时间间隔期间将连接至存储串的多个字线和位线浮置,位线的电压在第一时间间隔期间通过注入至沟道层中的空穴而增加,以及操作电路组被配置成在第一时间间隔之后通过将接地电压施加至所述多个字线并将源极线的电压维持在擦除电压来开始对存储串的存储器单元执行擦除操作。
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