[发明专利]制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台有效
| 申请号： | 201110330194.8 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102509695A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 刘光泽;陈庆育;游江津;邱奕昇 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台，方法包含下列步骤：于基板上形成氧化物导电层与图案化光阻层，其中该图案化光阻层部分暴露出该氧化物导电层。之后再利用蚀刻液蚀刻该图案化光阻层暴露出的该氧化物导电层，以及利用化学药剂除去该氧化物导电层上的该图案化光阻层，其中蚀刻该氧化物导电层的步骤与利用化学药剂除去图案化光阻层的步骤之间不包括对该基板进行水洗步骤。蚀刻机台包含蚀刻单元与去光阻单元。蚀刻单元用以蚀刻基板上的图案化光阻层暴露出的氧化物导电层；去光阻单元用以除去氧化物导电层上的图案化光阻层，其中蚀刻单元与去光阻单元之间不包括水洗单元。本发明可节省水的消耗，达到环保节能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 图案 氧化物 导电 方法 蚀刻 机台 | ||
【主权项】：
一种制作图案化氧化物导电层的方法，其特征在于，包含：提供一基板；于该基板上形成一氧化物导电层；于该氧化物导电层上形成一图案化光阻层，其中该图案化光阻层暴露出部分该氧化物导电层；利用一蚀刻液蚀刻该图案化光阻层暴露出的该氧化物导电层，以形成一图案化氧化物导电层；以及于蚀刻该氧化物导电层之后，利用一化学药剂除去该图案化氧化物导电层上的该图案化光阻层，其中蚀刻该氧化物导电层的步骤与利用该化学药剂除去该图案化氧化物导电层上的该图案化光阻层的步骤之间不包括对该基板及该氧化物导电层进行一水洗步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110330194.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
