[发明专利]硅通孔的形成方法有效
| 申请号： | 201110338467.3 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094187A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层；对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层；对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。本发明硅通孔的形成方法改善了现有硅通孔形成工艺中因晶圆背面磨削工艺难控制和晶圆内部形态不均匀而造成的晶圆上大量MOS晶体管失效，保持晶圆背面平整，提高了所形成硅通孔环路的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层；对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层；对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110338467.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制快速随路控制信道寻呼的方法、基站子系统、系统
- 下一篇：一种互锁电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
