[发明专利]EEPROM存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110338861.7 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094284A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金凤吉;兰启明;郭兵;赵晓燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/04;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种EEPROM存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底；进行第一离子注入，在所述半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；进行变角度第二离子注入，形成位于所述轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和位于轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区，所述变角度第二离子注入的掺杂离子导电类型与第一离子注入掺杂离子导电类型相同；对所述半导体衬底进行退火，激活掺杂离子，使第一浅掺杂区和第二浅掺杂区相接触；在所述半导体衬底上形成分立的存储晶体管和选择晶体管。本发明提供的方法，增大了读取EEPROM存储器的存储状态时的读取电流，提高了EEPROM存储器的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；进行第一离子注入，在所述半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；进行变角度第二离子注入，形成位于所述轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和位于轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区，所述变角度第二离子注入的掺杂离子导电类型与第一离子注入掺杂离子导电类型相同；对所述半导体衬底进行退火，激活掺杂离子，使第一浅掺杂区和第二浅掺杂区相接触；在所述半导体衬底上形成分立的存储晶体管和选择晶体管，所述存储晶体管包括轻掺杂源/漏区半导体衬底表面的栅极堆叠和位于栅极堆叠两侧半导体衬底内的源/漏区，所述选择晶体管包括轻掺杂源/漏区以外半导体衬底表面的栅极堆叠和位于栅极堆叠两侧半导体衬底内的源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
