[发明专利]碘化铯和掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺有效
| 申请号： | 201110340816.5 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102383195A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 唐华纯;李国荣;曹家军;吴中元 | 申请（专利权）人： | 上海御光新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201807 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纯碘化铯及掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，首先对原料进行脱羟、烘干预处理，以消除其中的OH－及吸附水和结晶水；烘干后将原料装入镀有碳膜的石英坩埚中抽真空密封；然后在内部设置有高、中、低三个温度区的下降炉内实现晶体生长，下降速度为1.5～3.0mm/h，晶体生长界面温度梯度为30±2℃/cm。所用的生长炉结构简单，操作方便，炉膛内部温度梯度可调节，同时由于炉内多个等效工位可同时生长多根晶体，降低晶体成本，非常适合规模生产等特点。本发明所生长的碘化铯晶体适用于安全检查及核医学成像等应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 碘化 铯单晶 坩埚 下降 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，包括以下步骤：1)将原料碘化铯于195～205℃脱OH 后，真空干燥，然后装入坩埚内抽真空并密封；2)将装料后的坩埚置于下降炉中，进行熔料，控制熔料温度为700～750℃；熔料结束后开始晶体生长，使坩埚匀速向下移动并通过下降炉内温度为600～650℃的区域，下降速度为1.5～3.0mm/h，晶体生长界面温度梯度为28～32℃/cm；晶体生长结束后，以30～50℃/h的速率降温至室温；取出坩埚，将晶体从坩埚中剥离，得到碘化铯单晶。
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