[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制作方法。本发明的制作半导体元件的方法利用非离子布植制程形成掺杂层，因此可应用在大尺寸的显示面板上，且利用退火制程可有效降低掺杂层的阻值，进而提升半导体元件的电性。另外，半导体元件的第一介电层可在制程中保护位于第一区域的半导体层免于受损，而半导体元件的蚀刻停止层可保护位于第二区域的半导体层免于在后续定义第二掺杂层之际受损。第一介电层与蚀刻停止层由同一图案化介电层定义出，因此不会增加额外制程，而可节省成本并增加良品率。

主权项

一种半导体元件，设置于一基板上，该基板包括一第一区域与一第二区域，其特征在于，该半导体元件包括：一第一薄膜晶体管元件，位于该第一区域内，该第一薄膜晶体管元件包括：一第一半导体层，位于该基板上；两个第一掺杂层，位于该第一半导体层上；一第一介电层，位于该第一半导体层与所述第一掺杂层上；一第一栅极介电层，位于该第一介电层上；一第一栅极，位于该第一栅极介电层上；以及一第一源极与一第一漏极，分别与各该第一掺杂层电性连接；以及一第二薄膜晶体管元件，位于该第二区域内，该第二薄膜晶体管元件包括：一第二半导体层，位于该基板上；两个第二掺杂层，位于该第二半导体层上；一蚀刻停止层，位于所述第二掺杂层之间并覆盖所述第二掺杂层暴露出的该第二半导体层；一第二栅极介电层，位于所述第二掺杂层与该蚀刻停止层上；一第二栅极，位于该第二栅极介电层上；以及一第二源极与一第二漏极，分别与各该第二掺杂层电性连接。