[发明专利]一种应用于集成错误校验码的嵌入式存储器的内建修复分析方法

摘要

一种嵌入式存储器的内建修复分析方法，包括如下步骤：利用片上冗余的行和列优先修复簇缺陷，离散缺陷采用宽边法进行修复，直到缺陷修复完成或者冗余行和列资源用完；如果冗余行资源和列资源用完后还有离散缺陷未被修复，则将残留的缺陷的位置信息存储在一个非易失存储器中，这些残留的缺陷造成的存储错误将在存储器使用过程中通过片上错误校验电路进行纠正。与已有的方法相比，这种利用片上错误校验码电路辅助的内建修复分析方法可以以非常低的硬件开销实现相同或者更高的缺陷修复率。

主权项

一种嵌入式存储器的内建修复分析方法，包括如下步骤：在存储器内建自测试阶段，采用簇缺陷优先修复分析方法，首先区分检测到的缺陷是簇缺陷还是离散缺陷，利用片上冗余的行和列优先修复检测到的簇缺陷，对检测到的离散缺陷采用宽边修复法进行修复，直到缺陷修复完成或者冗余行和列资源用完；如果冗余资源用完还有离散缺陷残留，则将残留的离散缺陷的位置信息存储在一个非易失存储器中，这些残留的缺陷将使用片上的错误校验电路进行修复；所述的簇缺陷优先修复分析方法为使用一个容量很小的缺陷收集缓冲器来存储检测到但未被修复的缺陷的位置信息，当检测到新的缺陷时，首先检测其所在的行或者列是否已经被标注为已修复，如果是则直接忽略该缺陷；否则将其行和列地址与缺陷收集缓存器中记录的缺陷位置信息逐条进行比较，如果与其中某一条目的行或者列地址相符，则将这两个缺陷视为簇缺陷，并分配冗余行或者冗余列优先对其进行修复；在缺陷收集缓存器中没有与之行或列地址相符的缺陷的情况下，如果缺陷收集缓冲器未满，则将该缺陷的位置信息作为一个新的条目加入缺陷收集缓存器，否则从缺陷收集缓存器中随机的弹出一个缺陷并使用宽边修复法进行修复，然后将该缺陷的位置信息存入缺陷收集缓冲器；一旦存储器检测完成，继续按照宽边修复法利用可用的冗余行或者列对缺陷收集缓存器中的缺陷进行修复，直到所有缺陷都被修复或者冗余的行和列都用完，这一阶段同一存储字中的缺陷会被优先修复；所述的宽边修复法随机的选择冗余的行或者列对每一个需要修复的缺陷进行修复，直到所有的缺陷修复完成或者冗余的行和列用完；所述的使用片上错误校验电路修复残留缺陷的实现方式是，存储器内建自测试结束后，将残留缺陷的位置信息存储在一个非易失存储器中；在存储器使用过程中，如果读取时检测到无法纠正的错误，即错误超出其自身的纠错能力，则从非易失存储器中读取残留缺陷的位置信息并提供给错误校验码解码器，利用错误校验码的检错纠错能力对其进行纠正。