[发明专利]一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统无效

专利信息
申请号: 201110345252.4 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN102436426A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 蔡孟宏;李宽仁 申请(专利权)人: 忆正存储技术(武汉)有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 薛祥辉
地址: 430074 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统。本发明的内嵌式存储器包括片内NAND闪存、闪存控制单元、MMC接口单元、片内闪存接口单元、片外闪存接口。所公开的一种内嵌式存储系统,该系统包括以上所述的内嵌式存储器以及一块或多块扩展NAND闪存。而该扩展NAND闪存通过片外闪存接口与闪存控制单元进行数据交互。本发明的内嵌式存储器及内嵌式存储系统,能够避免因内嵌式存储器上无多余NAND闪存接口连接片外NAND闪存,造成其存储容量扩展性较差。还可以通过多种NAND闪存类型组合,降低产品的整体储存成本。
搜索关键词: 一种 内嵌式 存储器 存储系统
【主权项】:
一种内嵌式存储器,包括:闪存控制单元、MMC接口单元,其特征在于,还包括:至少一个片外闪存接口单元;所述MMC接口单元对外向主机提供MMC接口,对内与所述闪存控制单元相连,通过所述MMC接口单元实现主机与所述闪存控制单元的数据交互;所述片外闪存接口单元对外提供与扩展NAND闪存进行数据传输的接口,对内与所述闪存控制单元相连,通过所述片外闪存接口单元实现所述扩展NAND闪存与所述闪存控制单元的数据交互。
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