[发明专利]减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法无效
| 申请号： | 201110346464.4 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103091995A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；第二步，形成第二层光刻胶；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。本发明通过两次涂胶，分别控制两次涂胶过程中芯片边缘曝光区域的大小，使得第二次涂胶过程中的芯片边缘曝光区域比第一次小，并利用第二次涂胶的边缘曝光斜坡为第一次的芯片边缘曝光区域作为硬膜进行显影，从而形成需要的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 芯片 边缘 斜坡 区域 方法 | ||
【主权项】：
一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；工序一、先采用六甲基二硅胺烷进行预处理，然后在底层上涂第一层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法对芯片进行洗边；工序二、进行第一次芯片边缘曝光；第二步，形成第二层光刻胶；工序一、不使用溶剂，在第一层光刻胶上涂第二层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法进行洗边；工序二、进行第二次芯片边缘曝光；第二次芯片边缘曝光的宽度小于第一次芯片边缘曝光的宽度；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。
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