[发明专利]结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201110349177.9 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543772A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 具俊谟;P·C·马里穆图;S·W·尹;沈一权 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件。半导体晶片具有第一和第二相对的表面。形成部分地穿过所述半导体晶片的第一表面的多个导电通孔。将所述半导体晶片单体化成多个第一半导体管芯。安装所述第一半导体管芯到载体。安装第二半导体管芯到所述第一半导体管芯。第二半导体管芯的占位面积比第一半导体管芯的占位面积大。在所述第一和第二半导体管芯以及载体上沉积密封剂。去除所述载体。去除第二表面的一部分以暴露导电通孔。在第一半导体管芯的与所述第二半导体管芯相对的表面上形成互连结构。可替换地，在第一半导体管芯和载体上沉积第一密封剂，并且在第二半导体管芯上沉积第二密封剂。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 晶片 不同 尺寸 半导体 管芯 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一和第二相对表面的半导体晶片；形成部分地穿过半导体晶片的第一表面的多个导电通孔；将半导体晶片单体化为多个第一半导体管芯；提供载体；安装所述第一半导体管芯到所述载体；安装第二半导体管芯到所述第一半导体管芯；在第一和第二半导体管芯以及载体上沉积密封剂；去除所述载体以及第二表面的一部分以暴露导电通孔；以及在第一半导体管芯的与所述第二半导体管芯相对的表面上形成互连结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋有限公司，未经新科金朋有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110349177.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
