[发明专利]高功率发光二极管有效
| 申请号： | 201110349346.9 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094264A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴嘉豪;林贞秀;翁明堃;张逸谦 | 申请（专利权）人： | 旭丽电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/64;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 510663 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种高功率发光二极管，包含一基板、一上金属层、两个第一芯片、两个第二芯片及一荧光层。两个第一芯片与第二芯片两两相对且交错设置于上金属层上，且荧光层选择性涂布地覆盖于第一芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种高功率发光二极管，包含：一基板、两个第一芯片、两个第二芯片、一荧光层及一透镜，该透镜设于该基板并覆盖所述第一芯片、所述第二芯片及该荧光层；其特征在于：该高功率发光二极管还包含一上金属层，该上金属层被覆于该基板的上表面，且包括一固晶垫及多个沿该固晶垫周侧分布的导接垫；所述第一芯片和第二芯片设于该固晶垫，且所述第一芯片与所述第二芯片两两相对且交错设置；该荧光层选择性涂布地覆盖所述第一芯片。
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