[发明专利]基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置有效
| 申请号： | 201110350015.7 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102468138A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 竹口博史;吉田勇一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，通过消除当向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡，降低基板表面上的缺陷。在向形成有高防水性的抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的表面上供给纯水(P)的显影处理方法中，从纯水喷嘴(40)向形成有抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的周边部的一处供给纯水(P)形成该纯水(P)的积液(Pa)，然后，通过一边继续供给纯水(P)一边将纯水喷嘴(40)从晶片(W)的周边部移动至晶片(W)的中心部，使得形成于晶片(W)的周边部的积液(Pa)移动至晶片(W)的中心部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 程序 计算机 存储 介质 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其将表面处理液供给至形成有高防水性膜的基板的表面上，该基板处理方法的特征在于，包括：积液形成工序，从喷嘴将表面处理液供给至所述基板的周边部的一处来形成该表面处理液的积液；和之后的积液移动工序，通过一边继续供给所述表面处理液一边将所述喷嘴从基板的周边部移动至基板的中心部，使得形成于基板的周边部的积液移动至基板的中心部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
