[发明专利]同步控制电路有效
申请号: | 201110351253.X | 申请日: | 2011-11-04 |
公开(公告)号: | CN103095109A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 王政雄 | 申请(专利权)人: | 登丰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种同步控制电路,以进行控制信号的转换而控制P型金属氧化物半导体场效晶体管及N型金属氧化物半导体场效晶体管,使控制器得以低压制程来制作而降低制程成本。而且经同步控制电路进行信号转换后,也可以使P型金属氧化物半导体场效晶体管及N型金属氧化物半导体场效晶体管由关闭状态转成导通状态的时间拉长,而抑制输出电压的电压突波的幅度,以避免过大电压突波可能的电路组件损毁的问题。 | ||
搜索关键词: | 同步 控制电路 | ||
【主权项】:
一种同步控制电路,其特征在于,用以根据一控制器的一控制信号控制一图腾柱电路,而该图腾柱电路包含串联的一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一N型金属氧化物半导体场效晶体管,其中该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端耦接一输入电压、该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端以及该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接地,该同步控制电路包含:一高端驱动电路,耦接该输入电压及该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端,并根据该控制信号产生一第一切换信号以控制该P型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态,该高端驱动电路包含一电容,该电容的一端耦接该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端,另一端用以耦接该控制器以接收该控制信号;以及一低端驱动电路,耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端,并根据该控制信号产生一第二切换信号以控制该N型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态;其中,该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序与该N型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序彼此交错不重叠。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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