[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极1、N+衬底2、N-漂移区3、深P体区5、N型重掺杂源区6、P型重掺杂区7、N型埋层沟道8、P型外延层9、栅氧化层10、多晶硅栅电极11和金属化源极12。该垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管在导通时通过两个沟道的共同导电机制，大大减小器件的导通电阻；在阻断时通过P+N结势垒对沟道的电场屏蔽，实现较高的耐压水平，达到1000V以上。

主权项

一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极（1）、N+衬底（2）、N‑漂移区（3）、深P体区（5）、N型重掺杂源区（6）、P型重掺杂区（7）、栅氧化层（10）、多晶硅栅电极（11）和金属化源极（12），金属化漏极（1）位于N+衬底（2）背面，N‑漂移区（3）位于N+衬底（2）正面，N‑漂移区（3）的上部为结型场效应晶体管区（4），其特征在于：①深P体区（5）位于N‑漂移区（3）上方两侧，通过P型重掺杂区（7）、金属化源极（12）与N型重掺杂源区（6）相连，抑制器件的寄生三极管效应，栅氧化层（10）生长于P外延层（9）和结型场效应晶体管区（4）之上，栅氧化层（10）的表面是多晶硅栅电极（11），所述多晶硅栅电极（11）与金属化源极（12）之间设置了隔离介质；②在N型重掺杂源区（6）与结型场效应管区（4）之间设置有两层导电沟道结构：N型埋层沟道（8）和P型外延层（9），所述N型埋层沟道（8）设置在下方，所述P型外延层（9）放在上方，用于形成反型沟道。