[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110358301.8 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107125A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层，保护层的介电常数范围包括：2.2～2.5，保护层具有致密的结构；依次刻蚀保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成沟槽；在沟槽中填充满金属层；对金属层进行平坦化处理，并去除部分保护层，剩余的保护层的上表面与金属层的上表面齐平。所述半导体器件包括：半导体衬底；依次位于半导体衬底上的刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层；位于半导体衬底上，且依次被保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。本发明可以提高半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层，所述保护层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述保护层具有致密的结构；依次刻蚀所述保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中填充满金属层；对所述金属层进行平坦化处理，并去除部分保护层，剩余的保护层的上表面与金属层的上表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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