[发明专利]半导体器件封装方法及半导体器件封装无效

专利信息
申请号: 201110358413.3 申请日: 2011-11-11
公开(公告)号: CN102468194A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 洛尔夫·安科约科伯·格罗恩休斯;斯文·瓦尔奇克;保罗·戴克斯特拉;艾米勒·德·布鲁因 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明披露了一种分立半导体器件封装(100),包括:引线框部(10),引线框部(10)包括凹部(14),所述凹部(14)具有实质上等于分立半导体器件(20)的厚度的深度,其中引线框部的与凹部相邻的凸出部限定了第一接触区(12);在凹部中的分立半导体器件(20),其中分立半导体器件的暴露表面(22)限定了第二接触区;保护层(30),覆盖引线框部和分立半导体器件,但不覆盖第一接触区和第二接触区;以及覆盖第一接触区和第二接触区的相应的镀层(40)。本发明还披露了一种制造这种封装的方法和一种包含这种封装的载体。
搜索关键词: 半导体器件 封装 方法
【主权项】:
一种制造分立半导体器件封装(100)的方法,包括:提供引线框(10);在引线框中形成凹部(14),所述凹部具有实质上等于分立半导体器件厚度的深度,其中引线框的与凹部相邻的凸出部限定了第一接触区(12);将分立半导体器件(20)放置在凹部中,其中分立半导体器件(20)的有源区面向下,分立半导体器件的暴露表面(22)限定了第二接触区;将生成的产品模制在保护层(30)中,使得包括第一接触区和第二接触区的表面暴露;用保护性电绝缘层覆盖与包含第一接触区和第二接触区的表面相对的表面;以及用相应的镀层(40)覆盖暴露的第一接触区和第二接触区。
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