[发明专利]半导体器件封装方法及半导体器件封装无效
申请号: | 201110358413.3 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN102468194A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 洛尔夫·安科约科伯·格罗恩休斯;斯文·瓦尔奇克;保罗·戴克斯特拉;艾米勒·德·布鲁因 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明披露了一种分立半导体器件封装(100),包括:引线框部(10),引线框部(10)包括凹部(14),所述凹部(14)具有实质上等于分立半导体器件(20)的厚度的深度,其中引线框部的与凹部相邻的凸出部限定了第一接触区(12);在凹部中的分立半导体器件(20),其中分立半导体器件的暴露表面(22)限定了第二接触区;保护层(30),覆盖引线框部和分立半导体器件,但不覆盖第一接触区和第二接触区;以及覆盖第一接触区和第二接触区的相应的镀层(40)。本发明还披露了一种制造这种封装的方法和一种包含这种封装的载体。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种制造分立半导体器件封装(100)的方法,包括:提供引线框(10);在引线框中形成凹部(14),所述凹部具有实质上等于分立半导体器件厚度的深度,其中引线框的与凹部相邻的凸出部限定了第一接触区(12);将分立半导体器件(20)放置在凹部中,其中分立半导体器件(20)的有源区面向下,分立半导体器件的暴露表面(22)限定了第二接触区;将生成的产品模制在保护层(30)中,使得包括第一接触区和第二接触区的表面暴露;用保护性电绝缘层覆盖与包含第一接触区和第二接触区的表面相对的表面;以及用相应的镀层(40)覆盖暴露的第一接触区和第二接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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