[发明专利]一种在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法有效
| 申请号： | 201110359811.7 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102491332A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李贺军;褚衍辉;付前刚;李克智 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制备碳化硅(SiC)纳米带的方法，在SiC陶瓷表面制备SiC纳米带的方法。该方法以Si粉、C粉和SiO2粉为原料，同时引入二茂铁作为催化剂，采用化学气相沉积法在SiC陶瓷表面一次性制备出大量的纯SiC纳米带。该方法可以简单、低成本、高效地制备大量的纯SiC纳米带，而且通过调整制备工艺可以对纳米带的形貌和尺寸进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 表面 制备 碳化硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将质量百分比为10～15％的Si粉，15～30％的C粉，40～70％的SiO2粉和5～15％的二茂铁粉进行混合，然后置于松脂球磨罐中，球磨混合处理2～4小时；步骤2：将粉料均匀铺满石墨坩埚底部，用一束3k碳纤维捆绑SiC陶瓷片后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方；步骤3：将石墨坩埚放入石墨为发热体的热压真空反应炉中，对真空炉进行真空处理后，通Ar至常压，以5～10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600～1800℃，保温1～3小时，关闭电源自然冷却至室温；整个过程中通Ar保护；步骤4：取出石墨坩埚，清理SiC陶瓷片上的碳纤维，在SiC陶瓷片上得到SiC纳米带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110359811.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：330kV带电作业工具压力轴承
- 下一篇：广告用KT板及其制备方法
