[发明专利]用于制造电极结构的方法有效
| 申请号： | 201110361951.8 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569092A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | S·加梅里思;R·克纳夫勒;A·莫德;K·索沙格;H·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了用于制造电极结构的方法。该方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽，其中形成该第一沟槽至少包括在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层；通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有电极结构的半导体器件的方法，该方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽，其中形成该第一沟槽至少包括在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层；通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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