[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110362992.9 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102394245A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种制作金属氧化物半导体(MOS)晶体管的方法，包括：提供衬底和具有第一掺杂类型的体区；经MOSFET的源极区、栅极区和漏极区向体区内注入第一杂质以形成具有第一掺杂类型的掺杂区，以选择性地提高体区的掺杂浓度。其中所述掺杂区包括：第一掺杂区，位于栅极区下方；第二掺杂区，位于源极区和漏极区下方。第一掺杂区比第二掺杂区的深度浅，更靠近体区的上表面。这种制作方法可制作短沟道长度的MOSFET，而且避免了短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的制作方法，包括步骤：提供衬底和具有第一掺杂类型的体区；以及经MOSFET的源极区、栅极区和漏极区向体区内注入第一杂质，形成具有第一掺杂类型的掺杂区，以选择性地提高体区的掺杂浓度，所述掺杂区包括：第一掺杂区，位于栅极区下方；第二掺杂区，位于源极区和漏极区下方；其中，第一掺杂区比第二掺杂区的深度浅，更靠近体区的上表面。
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