[发明专利]改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法有效
申请号: | 201110369951.2 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN102569171A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 张义民;林义闵;林柏伸 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法。此方法包括下列步骤:提供一基材,基材上形成有一电镀籽晶层以及一图案化光致抗蚀剂层,图案化光致抗蚀剂层具有一开口。形成一铜层于开口中,铜层的底部覆盖于电镀籽晶层上。形成一阻障层于铜层上,阻障层至少覆盖铜层的一顶部,其中阻障层的氧化电位大于铜层的氧化电位。移除图案化光致抗蚀剂层,以进行一蚀刻制作工艺,其中裸露的铜层及部分电镀籽晶层经蚀刻而形成一线路层。进行一浸渍制作工艺,以全面性形成一抗氧化层于阻障层以及线路层所显露的表面上。 | ||
搜索关键词: | 改善 冠状 缺陷 线路 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种改善冠状缺陷的线路制作方法,包括:提供一基材,该基材上形成有一电镀籽晶层以及一图案化光致抗蚀剂层,该图案化光致抗蚀剂层具有一开口;形成一铜层于该开口中,该铜层的底部覆盖于该电镀籽晶层上;形成一阻障层于该铜层上,该阻障层至少覆盖该铜层的一顶部,其中该阻障层的氧化电位大于该铜层的氧化电位;移除该图案化光致抗蚀剂层,以进行一蚀刻制作工艺,其中裸露的该铜层及部分该电镀籽晶层经蚀刻而形成一线路层;以及进行一浸渍制作工艺,以全面性形成一抗氧化层于该阻障层以及该线路层所显露的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造