[发明专利]可挠式发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110370754.2 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123949A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 罗杏芬 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种可挠式发光二极管封装结构，其包括可挠式基板以及设置在该可挠式基板上的发光二极管芯片。所述可挠式基板包括一软性基板及一硬性基板。所述硬性基板包括一顶面、与所述顶面相对的底面以及连接该顶面和底面的侧表面。所述发光二极管芯片设置在硬性基板的顶面上，所述软性基板围设连接在硬性基板侧表面上，并且硬性基板的底面暴露在软性基板外。本发明的可挠式发光二极管封装结构的散热效率更高。本发明还提供一种可挠式发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 可挠式 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可挠式发光二极管封装结构，其包括可挠式基板以及设置在该可挠式基板上的发光二极管芯片，其特征在于：所述可挠式基板包括一软性基板及一硬性基板，所述硬性基板包括一顶面、与所述顶面相对的底面以及连接该顶面和底面的侧表面，所述发光二极管芯片设置在硬性基板的顶面上，所述软性基板围设连接在硬性基板侧表面上，并且硬性基板的底面暴露在软性基板外。
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