[发明专利]隔离型高耐压场效应管的版图结构有效
| 申请号： | 201110371064.9 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123929A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 金锋;朱丽霞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，包括漏区、源区、漏区漂移区、漂移区、源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板；源区多晶硅场板及栅极为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处封闭；封闭的漏区多晶硅场板位于源区多晶硅场板及栅极的内外双层U型结构之间；漏区位于闭合的漏区多晶硅场板内，漏区漂移区位于源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板之间，源区位于源区多晶硅场板及栅极的外层之外及内层和外层之间，所述源区和漏区位于漂移区内，源区与硅基板衬底被漂移区隔离。本发明利用源区整个包围漏区，并在器件尾部增加场板，通过P型掺杂区包围漏区漂移区，防止电场集中，提高器件击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 耐压 场效应 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，其特征在于，包括漏区(201)、源区(202)、漏区漂移区(203)、漂移区(102)、源区多晶硅场板及栅极(109)和漏区多晶硅场板(110)；所述源区多晶硅场板及栅极(109)为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处通过源区多晶硅场板及栅极(109)封闭；所述漏区多晶硅场板(110)也为内外双层U型结构，内外双层通过圆弧场板连接，且漏区多晶硅场板(110)位于源区多晶硅场板及栅极(109)的内外双层U型结构之间；所述漏区(201)位于闭合的漏区多晶硅场板(110)内，漏区漂移区(203)位于源区多晶硅场板及栅极(109)和漏区多晶硅场板(110)之间，源区(202)位于源区多晶硅场板及栅极(109)的外层之外及内层和外层之间，所述源区(202)和漏区(201)位于漂移区(102)内，源区(202)与硅基板衬底(101)被漂移区(102)隔离。
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