[发明专利]一种动态随机存储器的高速写操作方法有效
| 申请号： | 201110372303.2 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123808A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;李慧 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速写操作方法。该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法的写电路中，多米诺逻辑部分为执行单元写入操作的驱动电路，其求值管组M1-M4分别接收来自灵敏放大器放大的单元读出小信号和外界写入信号，当写驱动使能信号WPCH开启时，多米诺逻辑预充点prenode电平根据求值管组M1-M4导通与否而变化，使驱动反相器INV输出端WBL电平摆动，完成对单元的写入。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生了困难等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 随机 存储器 速写 操作方法 | ||
【主权项】：
一种动态随机存储器的高速写操作方法，其特征在于，采用逻辑工艺的DRAM存储单元，所述逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr。
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