[发明专利]高压隔离N型LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110374610.4 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187435A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;段文婷;孙尧;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压隔离N型LDMOS器件，在P型衬底上形成有一深N型阱，在所述深N型阱中形成有一较所述深N型阱深的非常深N型阱，在所述非常深N型阱中形成有一P型阱，在所述P型阱同所述深N型阱邻接区域上方形成有多晶硅栅，在位于所述多晶硅栅一侧的所述P型阱上形成有器件源端及体端，在位于所述多晶硅栅相反一侧的深N型阱上形成有器件漏端。本发明还公开了一种高压隔离N型LDMOS器件的制造方法，本发明，能在小的横向尺寸下保证高压隔离N型LDMOS器件的耐压，优化比导通电阻，并且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压隔离N型LDMOS器件，其特征在于，在P型衬底上形成有一深N型阱，在所述深N型阱中形成有一较所述深N型阱深的非常深N型阱，在所述非常深N型阱中形成有一P型阱，在所述P型阱同所述深N型阱邻接区域上方形成有多晶硅栅，在位于所述多晶硅栅一侧的所述P型阱上形成有器件源端及体端，在位于所述多晶硅栅相反一侧的深N型阱上形成有器件漏端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110374610.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：整流器频率控制方法、装置和系统
- 下一篇：工程项目质量隐患排查预警管理系统
- 同类专利
- 专利分类
