[发明专利]一种提高共源极运算放大器频率特性的方法

摘要

一种提高共源极运算放大器频率特性的方法，该包括：对对应于源极端上方、对应于漏极端上方以及栅极上方进行斜角引入反应物等离子体侧墙薄膜沉积，以形成侧墙薄膜，使得对应于所述漏极端上方的栅极侧壁上沉积的栅极侧墙的厚度大于对应于所述源极端上方的栅极侧壁上沉积的栅极侧墙的厚度；对对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方的所述侧墙薄膜同时进行刻蚀，以暴露对应于所述漏极端的第一LDD结构用于形成所述漏极端的部分和对应于所述源极端的第二LDD结构用于形成所述源极端的部分；以及对所述第一LDD结构和所述第二LDD结构的暴露部分分别进行重掺杂和退火工艺，从而分别形成与所述漏极端和所述源极端相对应的重掺杂离子区。

主权项

一种半导体器件侧墙刻蚀方法，所述方法包括：对对应于源极端上方、对应于漏极端上方以及栅极上方进行斜角引入反应物等离子体侧墙薄膜沉积，以形成覆盖对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方的侧墙薄膜，使得对应于所述漏极端上方的栅极侧壁上沉积的栅极侧墙的厚度大于对应于所述源极端上方的栅极侧壁上沉积的栅极侧墙的厚度；对对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方的所述侧墙薄膜同时进行刻蚀，以暴露对应于所述漏极端的第一LDD结构用于形成所述漏极端的部分和对应于所述源极端的第二LDD结构用于形成所述源极端的部分；以及对所述第一LDD结构和所述第二LDD结构的暴露部分分别进行重掺杂和退火工艺，从而分别形成与所述漏极端和所述源极端相对应的重掺杂离子区。