[发明专利]具有散热座及增层电路的散热增益型半导体组件制备方法有效
申请号: | 201110378910.X | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN102479725A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/552 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体组件的制备方法,其中该组件包括半导体元件、散热座、黏着层及增层电路。该散热座包括一凸块、一基座及一凸缘层。该凸块定义出一凹穴。该半导体元件设置于凸块上且位于凹穴处,并电性连接至该增层电路,并与凸块热连结。该凸块自基座延伸进入黏着层的开口,且该基座自凸块朝相反于凹穴的方向垂直延伸,同时该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该增层电路包括一介电层及导线,其是位于半导体元件及凸缘层上。该导线可提供半导体元件的信号路由。本发明具有多项优点,其散热座可提供优异的散热效果,并使热量不流经该黏着层。 | ||
搜索关键词: | 具有 散热 电路 增益 半导体 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种散热增益型半导体组件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一凸块、一凸缘层、一黏着层及一具有通孔的导电层,其中该凸块定义出面朝第一垂直方向的一凹穴,且在相反于该第一垂直方向的第二垂直方向上覆盖该凹穴,同时该凸块邻接该凸缘层并与该凸缘层一体成形,且自该凸缘层朝该第二垂直方向延伸,而该凸缘层则自该凸块朝垂直于该第一及第二垂直方向的侧面方向侧向延伸;然后通过该黏着层将该凸缘层及该凸块黏附至该导电层,其中该黏着层介于该凸缘层与该导电层之间及该凸块与该导电层之间,此步骤包括将该凸块对准该通孔;然后将包含一接触垫的一半导体元件设置于该凸块上且位于该凹穴处;以及提供一增层电路及一基座,其中该增层电路自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸,且电性连接至该半导体元件,而该基座在该第二垂直方向上覆盖并邻接该凸块,且自该凸块侧向延伸,同时该基座包括邻接该通孔且与该凸块保持距离的该导电层部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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