[发明专利]分裂栅极存储单元及其操作方法

摘要

一种分裂栅极存储单元及其操作方法。所述存储单元包括：半导体衬底，其中依次形成有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第三掺杂区中形成有第一扩散区和第二扩散区；浮栅，形成于所述第一扩散区和第二扩散区之间的半导体衬底上，所述浮栅的第一侧与所述第一扩散区的部分重叠；控制栅，形成于所述浮栅的第二侧与所述第二扩散区之间的半导体衬底上，所述控制栅与所述浮栅的第二侧之间形成有绝缘氧化层；选择栅，形成于所述第一扩散区的半导体衬底上；其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型相同，与所述第二掺杂区的掺杂类型相反。本发明可以有效地减小存储单元的尺寸，提高存储单元的质量以及降低其制造成本。

主权项

一种分裂栅极存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底，其中形成有第一掺杂区，所述第一掺杂区中形成有第二掺杂区，所述第二掺杂区中形成有第三掺杂区，所述第三掺杂区中形成有第一扩散区和位于所述第一扩散区两侧的第二扩散区；浮栅，形成于所述第一扩散区和第二扩散区之间的半导体衬底上，所述浮栅的第一侧与所述第一扩散区的部分重叠；控制栅，形成于所述浮栅的第二侧与所述第二扩散区之间的半导体衬底上，所述控制栅与所述浮栅的第二侧之间形成有绝缘氧化层；选择栅，形成于所述第一扩散区的半导体衬底上；其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型相同，与所述第二掺杂区的掺杂类型相反。